ArenaLTE.com - Di ajang LTE Summit yang digelar di Hongkong September lalu, Qualcomm memperkenalkan generasi ketiga teknologi pengisian baterai cepat dengan teknologi Qualcomm Quick Charge 3.0.

Generasi terbaru pengisian daya baterai secara cepat ini diciptakan dengan Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV), algoritma baru yang dikembangkan oleh Qualcomm Technologies. Teknologi memungkinkan perangkat portabel menentukan tingkat daya yang dibutuhkan untuk transfer daya premium dan lebih efisien.

Sebagai informasi, Qualcomm Quick Charge versi 1 (QC 1) mulai dikembangkan untuk smartphone sejak tahun 2013 hingga 2014. Beberapa diantaranya yang memiliki fitur QC 1 ini antaralain yaitu Galaxy S5, Note 3, generasi pertama MotoX, Nexus 5 dan beberapa merek lain.

Mulai tahun 2014 hingga sekarang Qualcomm Quick Charge 2.0 mulai ditanamkan ke berbagai smartphone yang menggunakan prosesor Qualcomm Snapdragon 600, 200, 400, 410, 615, 800, 801, 805 dan 810 terbaru seperti Galaxy S6, S6 Edge, Note 4, Note Edge, LG G4, One M8, M9, Asus ZenFone 2, Moto X 2014, Nexus 6, Droid Turbo dan model lainnya.

Qualcomm Quick Charge 3.0

Qualcomm Quick Charge 3.0


Generasi terbaru Qualcomm Quick Charge 3.0 ini memungkinkan untuk mengisi baterai smartphone dari 0 sampai 80 persen hanya dalam waktu 35 menit. Dibandingkan dengan perangkat telepon genggam konvensional tanpa Quick Charge yang mungkin membutuhkan pengisian baterai sekitar satu setengah jam.

Qualcomm Quick Charge 3.0 juga didesain untuk lebih efisien sampai dengan 38 persen dibandingkan dengan versi 2.0 dan memiliki kemampuan mengisi baterai dua kali lebih cepat dibandingkan dengan generasi pertama.

Shannedy Ong, Country Director Qualcomm Indonesia ketika menjelaskan fitur terbaru Qualcomm Quick Charge 3.0 menjadi solusi proses isi daya baterai yang lebih cepat dan memiliki kemampuan hingga 4 x lebih cepat dibandingkan dengan proses charging biasa.

Kemampuan lain yang dimiliki Qualcomm Quick Charge 3.0 yaitu fleksibilitas terhadap tegangan listrik. Jika Quick Charge 2.0 menawarkan empat pilihan pengisian pada tingkat tegangan di 5V, 9V, 12V and 20V, Qualcomm Quick Charge 3.0 menyediakan fleksibilitas melalui peningkatan sebesar 200mV secara bertahap dimulai dari 3.6V hingga 20V. Ini memungkinkan smartphone untuk mendapatkan tingkat arus tegangan listrik yang sesuai sehingga tranfer daya dan penurunan power lebih optimal.
BacaQualcomm Snapdragon 820 Bisa Agregasi Jaringan LTE Dengan LTE-Unlicensed (LTE-U)

Bagusnya, teknologi Qualcomm Quick Charge 3.0 kompatibel dengan perangkat generasi sebelumnya yang telah mendukung pengisian cepat baik versi satu maupun dua. Evolusi teranyar dari teknologi Qualcomm Quick Charge 3.0 ini akan tersedia di dalam smartphone bersama prosesor Qualcomm Snapdragon 820. Juga beberapa smartphone dengan prosesor Qualcomm lainnya seperti Snapdragon 430, 617, 618 dan 620 yang diperkirakan akan mulai beredar tahun depan.