ArenaLTE.com – Sekelompok peneliti dariĀ  University of Alberta di Kanada dikabarkan telah berhasil menciptakan transistor baru yang dipercaya dapat merevolusi berbagai perangkat dengan basis layar TFT (thin film transistor) electronik. Temuan mereka yang diterbitkan dalam jurnal ilmiah bergengsi Nature Communications, disebut banyak kalangan dapat membuka pintu untuk pengembangan perangkat elektronik fleksibel dengan aplikasi yang luas sebagai teknologi display untuk pencitraan medis dan produksi energi terbarukan.

Dikutip dari situs Cellular-news.com, tim peneliti ini mengeksplorasi layar TFT baru yang paling sering ditemukan berdaya rendah dengan frekuensi rendah seperti tampilan layar pada gadget Anda saat ini. Upaya oleh para peneliti dan industri elektronik yakni meningkatkan kinerja transistor denganĀ  bahan baru atau perlahan-lahan memperbaiki yang sudah ada untuk digunakan dalam arsitektur thin film transistor tradisional, secara teknis dikenal sebagai metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).

Alih-alih mengembangkan bahan-bahan baru, para peneliti meningkatkan kinerja dengan merancang arsitektur transistor baru yang mengambil tindakan bipolar. Terobosan pertama mereka membentuk ‘pembalikan’ lapisan lubang dalam semikonduktor ‘wide-bandgap’ yang telah menjadi tantangan besar di bidang elektronik solid-state.

Setelah ini tercapai, “kami mampu membangun kombinasi unik dari semikonduktor dan isolasi lapisan yang memungkinkan kita untuk menyuntikkan” lubang “di antarmuka MOS (metal oxide semiconductor),” kata Gem Shoute, mahasiswa PhD di Departemen Teknik Elektro dan Komputer University of Alberta. Menambahkan lubang pada antarmuka meningkatkan kemungkinan elektron “tunneling” sebagai penghalang elektrik. Melalui fenomena ini, jenis tunneling kuantum, “kami akhirnya mampu mencapai transistor yang berperilaku seperti transistor bipolar.” Ini sebenarnya performa terbaik dari layar TFT untuk diadaptasi pada perangkat.